3 hours ago
2
Selular.ID – Samsung mengumumkan mulai mengirimkan memori generasi terbaru High Bandwidth Memory (HBM) tipe HBM4, kepada pelanggan pada awal 2026, sekaligus berencana menyediakan sampel HBM4E pada paruh kedua tahun ini.
Langkah ini menegaskan posisi Samsung dalam persaingan industri memori berperforma tinggi yang kini menjadi tulang punggung komputasi kecerdasan buatan (AI) dan pusat data modern.
Pengumuman tersebut menyusul peningkatan permintaan global terhadap solusi memori berbandwidth tinggi.
Terutama untuk akselerator AI dan GPU kelas data center. HBM merupakan jenis memori yang dirancang dengan arsitektur bertumpuk (3D-stacked memory) dan interkoneksi berkecepatan tinggi.
Sehingga mampu menghadirkan bandwidth besar dengan efisiensi daya lebih baik dibandingkan memori konvensional seperti DDR atau GDDR.
Samsung menyatakan bahwa pengiriman HBM4 telah dimulai kepada mitra strategis, sementara versi peningkatan, HBM4E, akan mulai disediakan dalam bentuk sampel kepada pelanggan pada paruh kedua 2026.
Skema ini umum dalam industri semikonduktor, di mana tahap sampling memungkinkan pelanggan melakukan validasi desain sebelum masuk produksi massal.
HBM4 merupakan generasi lanjutan dari HBM3 dan HBM3E yang saat ini digunakan secara luas pada akselerator AI.
Peningkatan pada HBM4 mencakup bandwidth yang lebih tinggi, efisiensi daya yang ditingkatkan, serta optimalisasi untuk integrasi dengan chip logika generasi terbaru.
Dengan pendekatan stacked DRAM dies yang dihubungkan melalui teknologi TSV (Through-Silicon Via), HBM4 dirancang untuk mengatasi bottleneck transfer data yang kerap muncul pada beban kerja AI berskala besar.
Langkah Samsung mengirim HBM4 juga terjadi di tengah kompetisi ketat dengan produsen memori global lain seperti SK Hynix dan Micron Technology.
Kedua perusahaan tersebut juga mempercepat pengembangan HBM generasi terbaru untuk memenuhi permintaan dari vendor GPU dan penyedia infrastruktur AI.
Dalam beberapa tahun terakhir, pasar HBM tumbuh signifikan seiring meningkatnya adopsi model AI generatif dan kebutuhan komputasi berperforma tinggi.
Industri semikonduktor saat ini bergerak menuju arsitektur chip yang semakin terintegrasi, termasuk penggunaan teknologi advanced packaging seperti 2.5D dan 3D packaging.
Dalam konteks tersebut, HBM menjadi komponen krusial karena ditempatkan sangat dekat dengan prosesor utama guna meminimalkan latensi dan meningkatkan throughput data.
Dengan mulai dikirimkannya HBM4, Samsung memperluas portofolio solusi memorinya untuk menjawab kebutuhan generasi GPU dan akselerator berikutnya.
Selain itu, rencana penyediaan sampel HBM4E pada paruh kedua tahun ini menunjukkan bahwa Samsung menyiapkan roadmap berkelanjutan.
Varian “E” pada lini HBM biasanya merujuk pada versi enhanced, yang membawa peningkatan performa atau efisiensi dibanding generasi dasar.
Strategi bertahap ini memberi ruang bagi pelanggan untuk merencanakan transisi teknologi tanpa mengganggu siklus desain produk mereka.
Permintaan HBM yang tinggi juga berdampak pada struktur pendapatan divisi semikonduktor Samsung.
Memori berbandwidth tinggi memiliki nilai jual lebih tinggi dibanding DRAM konvensional, sehingga menjadi segmen strategis dalam pemulihan industri memori global yang sempat mengalami tekanan harga pada periode sebelumnya.
Dengan fokus pada produk bernilai tambah seperti HBM4 dan HBM4E, Samsung berupaya memperkuat margin sekaligus mempertahankan daya saing teknologi.
Pengiriman awal HBM4 dan rencana sampling HBM4E menandai fase baru dalam evolusi memori untuk AI dan data center.
Keputusan ini memperlihatkan bagaimana Samsung menyesuaikan strategi produksinya dengan kebutuhan komputasi generasi berikutnya.
Baca Juga:Market Share Beda Tipis, Peluncuran S26 Series Jadi Momentum Samsung Ungguli Apple
Sekaligus mempertegas peran HBM sebagai komponen inti dalam ekosistem semikonduktor modern.
